Q. HARC 식각 공정

답변 3

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  채택스포스코

  코전무 ∙ 채택률 77%

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  안녕하세요. 멘티님. 반갑습니다. HARC 식각에서는 기본적으로 CCP 설비가 많이 쓰이는 편이 맞습니다. 고종횡비 구조에서는 이온 에너지를 비교적 안정적으로 가져가면서 수직성을 확보하는 것이 중요해서요. 그래서 공정 조건을 잘 잡으면 CCP가 유리하게 작동하는 경우가 많습니다. 다만 무조건 CCP가 정답이라고 보시면 안 되고 식각 깊이와 선택비와 프로파일 요구사항에 따라 달라집니다. 특히 미세 패턴에서는 플라즈마 밀도와 균일도도 같이 봐야 해서 장비 특성과 레시피 최적화가 같이 따라가야 합니다. 실무에서는 CCP가 기본 축이 되더라도 혼합 구조나 보조 장치로 성능을 보완하는 경우가 적지 않습니다. 결국 HARC에서는 장비 종류보다도 이온 각도 제어와 폴리머 균형과 챔버 안정성이 더 중요하게 작용합니다. 그래서 지원하실 때는 CCP가 왜 유리한지와 동시에 어떤 조건에서 한계가 생기는지까지 함께 정리해보시구요. 그러면 답변이 훨씬 탄탄해집니다. 모쪼록 도움이 되셨다면 채택부탁드립니다. 감사합니다.

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• 메

  메에모리삼성전자

  코상무 ∙ 채택률 48% ∙

  회사

  일치

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  상황마다 다른 때가 많아 한마디로 말씀드리기가 어렵습니다.

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  합격 메이트삼성전자

  코부사장 ∙ 채택률 79% ∙

  회사

  일치

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  멘티님. 안녕하세요. ​HARC 식각 공정에서는 높은 직선성과 강한 이온 에너지가 요구되므로 일반적으로 CCP 설비가 ICP 설비에 비해 유리합니다. CCP는 양 전극 사이에 전압을 가해 높은 바이어스 전압을 유도할 수 있어 이온의 직진성을 확보하고 깊은 홀 구조를 제어하는 데 효과적입니다. ​반면 ICP는 플라즈마 밀도를 높이기에 유리하지만 상대적으로 이온 에너지 조절이 어려워 수직 직진성이 중요한 고횡경비 식각에는 한계가 존재합니다. 최근 초고단 NAND 식각 등에서는 CCP 설비를 기반으로 고주파수 및 저주파수를 복합 적용하는 전력 제어 기술을 주로 활용합니다. 면접이나 전공 답변 시에는 CCP의 강점인 강력한 바이어스와 이온 직진성 확보 측면을 중심으로 정리하시면 좋은 평가를 받습니다. ​응원하겠습니다.

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