직무 · 삼성전자 / 공정설계
Q. HARC 식각 공정
HARC 식각에서 기본적으로 CCP설비가 유리한 것이 맞나요?
2026.08.01
답변 6
합격 메이트삼성전자코부사장 ∙ 채택률 78% ∙일치회사
채택된 답변멘티님. 안녕하세요. HARC 식각 공정에서는 높은 직선성과 강한 이온 에너지가 요구되므로 일반적으로 CCP 설비가 ICP 설비에 비해 유리합니다. CCP는 양 전극 사이에 전압을 가해 높은 바이어스 전압을 유도할 수 있어 이온의 직진성을 확보하고 깊은 홀 구조를 제어하는 데 효과적입니다. 반면 ICP는 플라즈마 밀도를 높이기에 유리하지만 상대적으로 이온 에너지 조절이 어려워 수직 직진성이 중요한 고횡경비 식각에는 한계가 존재합니다. 최근 초고단 NAND 식각 등에서는 CCP 설비를 기반으로 고주파수 및 저주파수를 복합 적용하는 전력 제어 기술을 주로 활용합니다. 면접이나 전공 답변 시에는 CCP의 강점인 강력한 바이어스와 이온 직진성 확보 측면을 중심으로 정리하시면 좋은 평가를 받습니다. 응원하겠습니다.
합격 기원삼성전자코이사 ∙ 채택률 60% ∙일치회사구조가 간단하고 비용/운영/유지보수에 유리하다는 장점이 있지만, 낮은 플라즈마 밀도로 인해 깊은 식각 이나 매우 방향성 있는 식각이 필요한 응용 분야에서는 단점이 될 수 있어 공정 정밀도 측면에선 불리함이 있습니다. 최근에는 다중 주파수 ccp나 펄스 플라즈마 기술을 적용하여 종횡비와 선택도를 개선하는 방향으로 발전하고 있습니다.
- 흰흰수염치킨삼성전자코전무 ∙ 채택률 57% ∙일치회사
안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 일반적으로는 그런걸로 알고 있어요 근데 실무에서 절대적인건 없어요! 상황에 따라 달라져요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^
- PPRO액티브현대트랜시스코부사장 ∙ 채택률 100%
네, 일반적으로 HARC(High Aspect Ratio Contact) 식각에서는 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 장비가 유리한 경우가 많습니다. 다만 "무조건 CCP가 우위"라고 말하기보다는 공정 목적에 따라 달라진다고 이해하는 것이 정확합니다. HARC 식각은 매우 높은 종횡비의 Contact Hole을 깊고 수직으로 식각해야 하기 때문에 높은 이온 에너지와 우수한 방향성이 중요합니다. CCP는 웨이퍼에 인가되는 RF Bias를 크게 줄 수 있어 이온이 수직으로 입사하기 쉽고, Anisotropic Etch 특성을 확보하기 유리합니다. 또한 Polymer 형성과 제거의 균형을 맞추면서 Deep Contact Etch를 구현하기에 적합한 특성이 있습니다. 반면 ICP(Inductively Coupled Plasma)는 높은 플라즈마 밀도를 얻기 쉬워 식각 속도와 Radical 공급에는 유리하지만, 경우에 따라서는 이온 에너지 제어가 CCP만큼 직관적이지 않을 수 있습니다. 그래서 고종횡비 Contact에서는 CCP 기반 장비가 많이 사용되어 왔습니다. 다만 최근에는 이 구분이 예전만큼 명확하지 않습니다. 실제 양산 장비는 ICP Source와 RF Bias를 함께 사용하는 Dual RF 구조가 대부분이며, Lam Research나 TEL의 최신 HARC 장비도 높은 플라즈마 밀도와 이온 에너지를 동시에 제어할 수 있도록 설계되어 있습니다. 즉, 순수 CCP와 순수 ICP를 비교하기보다는 장비 구조와 공정 최적화 능력이 더 중요해졌습니다.
채택스포스코코부사장 ∙ 채택률 76%안녕하세요. 멘티님. 반갑습니다. HARC 식각에서는 기본적으로 CCP 설비가 많이 쓰이는 편이 맞습니다. 고종횡비 구조에서는 이온 에너지를 비교적 안정적으로 가져가면서 수직성을 확보하는 것이 중요해서요. 그래서 공정 조건을 잘 잡으면 CCP가 유리하게 작동하는 경우가 많습니다. 다만 무조건 CCP가 정답이라고 보시면 안 되고 식각 깊이와 선택비와 프로파일 요구사항에 따라 달라집니다. 특히 미세 패턴에서는 플라즈마 밀도와 균일도도 같이 봐야 해서 장비 특성과 레시피 최적화가 같이 따라가야 합니다. 실무에서는 CCP가 기본 축이 되더라도 혼합 구조나 보조 장치로 성능을 보완하는 경우가 적지 않습니다. 결국 HARC에서는 장비 종류보다도 이온 각도 제어와 폴리머 균형과 챔버 안정성이 더 중요하게 작용합니다. 그래서 지원하실 때는 CCP가 왜 유리한지와 동시에 어떤 조건에서 한계가 생기는지까지 함께 정리해보시구요. 그러면 답변이 훨씬 탄탄해집니다. 모쪼록 도움이 되셨다면 채택부탁드립니다. 감사합니다.
- 메메에모리삼성전자코상무 ∙ 채택률 48% ∙일치회사
상황마다 다른 때가 많아 한마디로 말씀드리기가 어렵습니다.
함께 읽은 질문
Q. 삼성전자 사업부 관련 문의
안녕하세요 이번 상반기 졸업 예정인 석사 과정생입니다. 삼성전자 공정설계 직무에 관심이 있어서 이번에 지원을 할 예정인데, 사업부를 어디로 할지 고민입니다. 저는 차세대 메모리 반도체 관련 연구를 수행했고, 이 경험을 살려서 자소서를 작성 할 예정입니다. 특히 반도체 연구소 팀과 산학연계 프로젝트를 진행 중입니다. 그러나 이 기간이 그렇게 길지는 않고, 또한 반도체 연구소는 대부분 박사분들이 많아, 석사가 입사하기 힘들다는 이야기를 들었습니다. 이러한 상황에서 메모리 사업부를 선택하는 것이 저에게 더 유리한 선택인지, 아니면 과제를 같이 했던 반도체 사업부를 선택하는 것이 좋은 선택일지 궁금해서 현직자 분들에게 여쭤보고 싶습니다. 감사합니다.
Q. 삼성전자 1c d램 수율이 현재 어느정도인가요?
기사에 따라 60%, 70% 다 말이 다른 것 같습니다. 1c d램의 경우 아직 최대한으로 수율을 높이지 못한 것이 맞는지 궁금합니다.
Q. 삼성전자 메모리, 파운드리 해외출장 빈도 질문드립니다.
메모리는 파운드리에 비해 국내 근무 위주라는 이야기를 많이 들었습니다. 출장 관련해서 의견이 다양해서 어떤 분은 장비 set-up 때문에 공정기술이 출장이 잦다고 하고, 또 어떤 분은 공정설계가 더 잦다고 하셔서 혼란이 있습니다. 결국 입사 후 맡는 장비나 업무에 따라 달라지는걸까여? 1. 메모리의 경우 출장 한 번도 가지 않는 경우도 있다고 들었는데, 파운드리에서도 이런 케이스가 있는지 궁금합니다.주로 미국 고객사 출장일까여? 2. 공정기술 vs 공정설계의 출장 빈도 차이가 메모리/파운드리 여부에 따라 크게 달라지는지 궁금합니다. 3. 공정기술은 주로 학사 지원이 많다고 알고 있는데, 공정/소자 전공 석·박사는 보통 공정설계를 지원하는 편인가요? 또한 석사로 공정기술을 지원하는 경우도 있는지 궁금합니다. 4. 회로 관련 수업을 들었는데, 진로표에 공정설계가 포함되어 있었습니다. 공정/소자 분야에서의 공정설계와 회로 분야에서의 공정설계는 서로 다른 개념인지 궁금합니다.
궁금증이 남았나요?
빠르게 질문하세요.